靶材如何進(jìn)行分類和應(yīng)用，石墨靶材會(huì)在哪個(gè)分類和應(yīng)用領(lǐng)域
時(shí)間：2023-06-29瀏覽次數(shù)：2360靶材這種產(chǎn)品很多人聽(tīng)了，都應(yīng)該會(huì)很陌生，而靶材的應(yīng)用領(lǐng)域相當(dāng)廣泛，如半導(dǎo)體、顯示面板、電子、光學(xué)等，而靶材是有不同材料的，像石墨靶材、金屬靶材、陶瓷靶材，不同材料的靶材在應(yīng)用領(lǐng)域上不同，接下來(lái)看看靶材如何進(jìn)行分類和應(yīng)用，石墨靶材會(huì)在哪個(gè)分類和應(yīng)用領(lǐng)域。
靶材限制了薄膜的物理機(jī)械性能，影響涂層的質(zhì)量。因此，靶材的質(zhì)量評(píng)價(jià)比較嚴(yán)格，主要需要滿足以下要求：
1、質(zhì)量低：純度高，靶材純度影響薄膜的均勻性。
2、密度：高密度靶材具有導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性好、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。該靶材用于鍍膜時(shí)，濺射功率小，沉積速率快??，膜層不易破裂，靶材壽命長(zhǎng)，濺射薄膜電阻率低，透過(guò)率高。
3、分布均勻：組織結(jié)構(gòu)均勻。靶材材料的均勻成分是確保一致的涂層質(zhì)量的關(guān)鍵因素。
4、粒徑小：靶材晶粒尺寸越細(xì)，濺射薄膜的膜厚分布越均勻，濺射速度越快。
制造工藝
目前，靶材制造主要有鑄造和粉末冶金兩種。
粉末冶金法：
將一定成分比的合金原料熔化，注入鑄錠，然后粉碎。優(yōu)點(diǎn)是靶材成分均勻。缺點(diǎn)是密度低。由于雜質(zhì)含量高等原因，常用的粉末冶金工藝有冷壓、真空熱壓和熱等靜壓。
鑄造方法：
這是一種將一定成分比的合金原料熔化，將合金溶液倒入模具中制成鑄錠，后面通過(guò)機(jī)械加工制成靶材，然后在真空中熔化鑄造的鑄造方法。常用的熔煉方法有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子沖擊熔煉等。優(yōu)點(diǎn)是靶材雜質(zhì)含量（特別是氣體雜質(zhì)含量、低、密度高、可大規(guī)模生產(chǎn)。缺點(diǎn)是熔點(diǎn)和密度相差較大。在兩種或兩種以上大金屬的情況下，通過(guò)普通的精煉方法很難獲得成分均勻的合金靶材。
靶材分類
根據(jù)不同材質(zhì)分類，可分為00d100金屬靶材、陶瓷（氧化物、氮化物等、靶材和合金靶材。
根據(jù)形狀不同可分為矩形靶材、圓形靶材、圓柱形靶材、空心旋轉(zhuǎn)管靶材和異形靶材。
應(yīng)用領(lǐng)域
光學(xué)記錄靶材：
1、相變盤記錄薄膜：硒化碲靶材、硒化銻靶材、鍺銻碲合金靶材、鍺碲合金靶材等。
2、磁光盤記錄薄膜：鏑/鐵/鈷合金靶材、鋱/鏑/鐵合金靶材、鋱/鐵/鈷合金靶材、氧化鋁靶材、氧化鎂靶材、氮化硅靶材等。
3、CD反射膜：鋁靶材、鋁鈦合金靶材、鋁鉻合金靶材、金靶材、金合金靶材等。
4、光盤保護(hù)膜：氮化硅靶材、氧化硅靶材、硫化鋅靶材等。
半導(dǎo)體領(lǐng)域：
1、電極及布線膜：鋁靶材、銅靶材、金靶材、銀靶材、鈀靶材、鉑靶材、鋁硅合金靶材、鋁硅銅合金靶材等。
2、存儲(chǔ)電極薄膜：鉬靶材、鎢靶材、鈦靶材等；
3、粘合膜：鎢靶材、鈦靶材等。
4、電容器絕緣膜：鋯鈦酸鉛靶材等。
顯示靶材：
1、透明導(dǎo)電膜：氧化銦錫靶材、氧化鋅鋁靶材等。
2、電極布線膜：鉬靶材、鎢靶材、鈦靶材、鉭μm靶材、鉻靶材、鋁靶材、鋁鈦合金靶材、鋁鉭合金靶材等。
3、電致發(fā)光薄膜：硫化鋅摻雜錳靶材、硫化鋅摻雜鋱靶材、硫化鈣摻雜銪靶材、氧化釔靶材、氧化鉭靶材、鈦酸鋇靶材等。
磁記錄靶材：
1、垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等。
2、硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶材、鈷鉻鉑合金靶材、鈷鉻鉭鉑合金靶材等。
3、薄膜磁頭：鈷鉭鉻合金靶材、鈷鉻鋯合金靶材等。
4、人造晶體薄膜：鈷/鉑合金靶材、鈷/鈀合金靶材等。
其他應(yīng)用靶材：
1、裝飾膜：鈦靶材、鋯靶材、鉻靶材、鈦鋁合金靶材、不銹鋼靶材等。
2、低電阻膜層：鎳鉻合金靶材、鎳鉻硅合金靶材、鎳鉻鋁合金靶材、鎳銅合金靶材等。
3、超導(dǎo)薄膜：釔/鋇/銅/氧靶材、鉍/鍶/鈣/銅/氧靶材等；
4、工具鍍膜：氮化物靶材、碳化物靶材、硼化物靶材、鉻靶材、鈦靶材、鈦鋁合金靶材、鋯靶材、石墨靶材等。
綜上所述，可以看到不同靶材，可以按材料區(qū)分，可以按形狀區(qū)分，應(yīng)用的領(lǐng)域有半導(dǎo)體、 顯示、光學(xué)記錄、光學(xué)記錄等，像石墨靶材分類在其它應(yīng)用領(lǐng)域。
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